Herstellung von dünnen Schichten aus Titannitrid (TIN) durch ALD-Verfahren
ALD-Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten aus Titannitrid (TiN) durch Atomlagenabscheidung (ALD)
Synchrotron (Röntgen)-Siliziumnitrid-Dünnschichtfenster
Weit verbreitet in der Röntgenfluoreszenzanalyse, Elektronenenergiespektroskopie, Röntgendiffraktometrie und Röntgenabsorption. Hergestellt mit dem modernsten MEMS-Herstellungsverfahren.
Datenblatt
Siliziumnitrid-Dünnschichtfenster Produktblatt
Einzelheiten zum Produkt
Verkaufende Einheiten
10Stück/Packung
Chip-Größe
5 x 5 mm, 7,5 x 7,5 mm, 10 x 10 mm
Dicke der Späne
200 μm
Dicke der Folie
10 nm, 20 nm, 30 nm, 50 nm, 100 nm, 200 nm
Größe des Fensters
0,1 x 0,1, 0,25 x 0,25, 0,5 x 0,5, 1 x 1, 1,5 x 1,5, 2 x 2, 3 x 3, 5 x 5 mm
Anzahl der Fenster
1Stück
Größe der Blende
Keine Löcher
Stressbedingungen
<250MPa
Vorteile von Siliziumnitridschichten:
- Säure- und alkalibeständig: Die Proben können unter sauren und alkalischen Bedingungen manipuliert und untersucht werden.
- Hohe Temperaturbeständigkeit: Die Folien können Temperaturen von bis zu 1000°C standhalten.
- Kohlenstofffrei, leicht zu reinigen
- Große Vision
- Unterstützung für eine breite Palette von Mikroskopen: z. B. TEM, SEM, FIB, EDX, Auger, XPS und AFM/SPM
Unsere Produktvorteile:
- Robuste Siliziumnitridschichten in Dicken von 10, 20, 30, 50, 100 und 200 nm
- Standardspezifikation: vollständig kompatibel mit Standard 3,05 mm TEM-Halterungen
- Erhältlich in Standard 200 µm und dünneren 100 µm Rahmenstärken
- Hydrophile/hydrophobe Siliziumnitrid-Schichten sind auf Anfrage erhältlich
- Saubere, extrem flache Siliziumnitridschicht
- Mit hoher Festigkeit und Ebenheit
- Geringe Belastung
Unsere Siliziumnitrid-Trägerschichten werden mit den modernsten Halbleiter- und MEMS-Fertigungstechnologien hergestellt. Amorphe Siliziumnitrid-Trägerschichten werden auf Siliziumwafern bis zur gewünschten Schichtdicke von 10, 20, 30, 50, 100 oder 200 nm gezüchtet.
Der Sichtbereich für die Probe wird durch Wegätzen eines Fensters im Siliziumsubstrat geschaffen, so dass ein vollkommen glatter, flexibler und chemisch stabiler Siliziumnitridfilm übrig bleibt. Der Rahmen wird aus einer 3 mm dicken Siliziumscheibe hergestellt. Er ist ideal für Standard-TEM-Halterungen geeignet. Die Standarddicke des Siliziumrahmens beträgt 100µm/200µm, was für die meisten TEM-Halterungen geeignet ist.
Spezifikationen für das Screening finden
Ähnliche Produkte, die Sie interessieren könnten
Ähnliche Produkte
Sie können den gewünschten Chip nicht finden?
Wir bieten maßgeschneiderte Dienstleistungen für die Bearbeitung von Spänen an.
Neueste Nachrichten
Die Geschichte unserer Fähigkeiten, unserer Forschung und des sich wandelnden Gesichts unseres Unternehmens.
Unterschiede zwischen ICPCVD und PECVD bei der Herstellung von Siliziumnitridschichten
Unterschied zwischen ICPCVD- und PECVD-Herstellung von Siliciumnitridschichten ICPCVD (
Veränderung des Brechungsindex und des Absorptionskoeffizienten von amorphem Silizium bei verschiedenen Wellenlängen
Variation des Brechungsindex und des Absorptionskoeffizienten von amorphem Silizium bei verschiedenen Wellenlängen Bei der Untersuchung der optischen Eigenschaften von amorphem Silizium
PECVD versus Magnetron-Sputtern: Welche Technik ist besser für die Herstellung amorpher Silizium-Dünnschichten?
PECVD versus Magnetron-Sputtern: Welche Technik ist besser für die Herstellung amorpher Silizium-Dünnschichten? Silizium-Dünnschichten
