Herstellung von dünnen Schichten aus Titannitrid (TIN) durch ALD-Verfahren
ALD-Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten aus Titannitrid (TiN) durch Atomlagenabscheidung (ALD)
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Art des Substrats
1. hohe Stabilität: Graphen-Trägerfilme sind sehr stabil und verlieren nicht so leicht ihre ursprünglichen Eigenschaften durch Oxidation oder Hochtemperaturbehandlung, während andere Elektronenmikroskop-Trägerfilme wie Kohlenstofffilme durch Oxidation oder Wärmebehandlung verändert werden können.
2. hohe elektrische Leitfähigkeit: Graphen hat eine hohe elektrische Leitfähigkeit, so dass Membranen auf Graphenbasis als Trägernetzwerke für Elektronenmikroskope eine bessere Signalübertragung und Detektionsmöglichkeiten für eine höhere Auflösung und Empfindlichkeit bieten können.
3. hohe Festigkeit und Zähigkeit: Graphen hat eine hohe Festigkeit und Zähigkeit, und seine Trägerfolie kann schwereren Lasten und größeren Belastungen standhalten, was sie haltbarer macht.
4. sehr dünn: Der Graphen-Trägerfilm ist sehr dünn, nur wenige Nanometer dick, was Beugungseffekte bei der elektronenmikroskopischen Bildgebung reduziert und die Bildauflösung verbessert.
5. wiederverwendbar: Graphen-Trägerfolien sind in hohem Maße recycelbar und können gereinigt und wiederverwendet werden, was die Nutzungskosten senkt
Graphene Support Film ist ein hochleistungsfähiges Elektronenmikroskop-Trägernetz, das aus hochwertigen Graphen-Monolayer-Filmen hergestellt wird. Die Einzigartigkeit dieses Produkts liegt in seiner hohen Festigkeit, Zähigkeit, hohen elektrischen Leitfähigkeit und hervorragenden Stabilität. Die Graphen-Trägerfolie kann hohen Belastungen und Dehnungen standhalten, und die dünne Struktur verringert Beugungseffekte und verbessert die Auflösung der elektronenmikroskopischen Abbildung. Graphen-Trägerfolien haben ein breites Anwendungsspektrum in den Bereichen Materialwissenschaft, Halbleiterverfahren und Nanobiologie. Die Verwendung von Graphen-Trägermembranen als Trägernetz für das Elektronenmikroskop ermöglicht hochauflösende Bilder und Signale und verbessert die Zuverlässigkeit und Reproduzierbarkeit der Forschungsergebnisse.
Die Graphen-Trägerfolien von Harbor Semiconductor werden in einem fortschrittlichen Produktionsverfahren hergestellt, um die Qualität und Stabilität der Produkte zu gewährleisten. Wir können Graphen-Trägerfolien in verschiedenen Spezifikationen anbieten, um den Anforderungen unterschiedlicher Anwendungen gerecht zu werden. Wir übernehmen die volle Verantwortung für unsere Produkte und bieten eine breite Palette von Dienstleistungen an, um die Zufriedenheit unserer Kunden sicherzustellen.
ALD-Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten aus Titannitrid (TiN) durch Atomlagenabscheidung (ALD)
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