1.0ハーバー半導体https://www.nanofab.com.cn/jarich600338<blockquote class="wp-embedded-content" data-secret="U3vz7FHfST"><a href="https://www.nanofab.com.cn/ja/インサイト-2/アプリケーション/ポリシリコン・フィルムの成長速度に影響を与え/">徹底検証丨多結晶シリコン薄膜の成長速度に影響するさまざまな要因</a></blockquote><iframe sandbox="allow-scripts" security="restricted" src="https://www.nanofab.com.cn/ja/インサイト-2/アプリケーション/ポリシリコン・フィルムの成長速度に影響を与え/embed/#?secret=U3vz7FHfST" width="600" height="338" title=""深堀り丨ポリシリコン薄膜の成長速度に影響する様々な要因" - ハーバー半導体" data-secret="U3vz7FHfST" frameborder="0" marginwidth="0" marginheight="0" scrolling="no" class="wp-embedded-content"></iframe><script> /*! This file is auto-generated */ !function(d,l){"use strict";l.querySelector&&d.addEventListener&&"undefined"!=typeof URL&&(d.wp=d.wp||{},d.wp.receiveEmbedMessage||(d.wp.receiveEmbedMessage=function(e){var t=e.data;if((t||t.secret||t.message||t.value)&&!/[^a-zA-Z0-9]/.test(t.secret)){for(var s,r,n,a=l.querySelectorAll('iframe[data-secret="'+t.secret+'"]'),o=l.querySelectorAll('blockquote[data-secret="'+t.secret+'"]'),c=new RegExp("^https?:$","i"),i=0;i<o.length;i++)o[i].style.display="none";for(i=0;i<a.length;i++)s=a[i],e.source===s.contentWindow&&(s.removeAttribute("style"),"height"===t.message?(1e3<(r=parseInt(t.value,10))?r=1e3:~~r<200&&(r=200),s.height=r):"link"===t.message&&(r=new URL(s.getAttribute("src")),n=new URL(t.value),c.test(n.protocol))&&n.host===r.host&&l.activeElement===s&&(d.top.location.href=t.value))}},d.addEventListener("message",d.wp.receiveEmbedMessage,!1),l.addEventListener("DOMContentLoaded",function(){for(var e,t,s=l.querySelectorAll("iframe.wp-embedded-content"),r=0;r<s.length;r++)(t=(e=s[r]).getAttribute("data-secret"))||(t=Math.random().toString(36).substring(2,12),e.src+="#?secret="+t,e.setAttribute("data-secret",t)),e.contentWindow.postMessage({message:"ready",secret:t},"*")},!1)))}(window,document); //# sourceURL=https://www.nanofab.com.cn/wp-includes/js/wp-embed.min.js </script>https://www.nanofab.com.cn/wp-content/uploads/2024/04/12304812998c243dbd9680b572454e9.png690450多晶硅薄膜是一种晶体硅薄膜，可以生长在不同材料的衬底上，它由不同晶向和不同大小的众多微小晶粒组成，其直径一般在几百微米至几十微米，并具有品体硅的基本性质。在制备多晶硅薄膜的过程中，薄膜的内部结构、性质、表面质量对沉积温度、反应压力、硅烷流量等沉积参数非常敏感。