Diferencia entre LPCVD y PECVD
Diferencia entre LPCVD y PECVD Al funcionar a altas temperaturas en un entorno de baja presión, L
Espectrómetro de positrones multifuncional HS-POS
HS-POS es un sistema multifuncional de caracterización de materiales que integra tecnología avanzada de aniquilación de positrones con espectroscopia de vida útil de aniquilación de positrones (PALS) de modo dual y espectroscopia de amplitud conforme Doppler (CDBS), proporcionando análisis no destructivos de defectos subnanométricos y de estructura electrónica para la ciencia de materiales, la química física y la ingeniería.
Espectro de vida de aniquilación de positrones (PALS)
Medir con precisión el tiempo de vida de aniquilación de los positrones en los materiales (~100 ps-10 ns) y caracterizar cuantitativamente la concentración, el tamaño y la distribución de los defectos de tipo vacante (vacantes individuales, grupos de vacantes, microporos). Aplicable a una amplia gama de sistemas, incluidos cristalinos, amorfos, polímeros y nanomateriales, con una resolución subnanométrica. Compatible con el espectro ensanchado Doppler (CDBS).
Mediante la técnica de medición conforme con doble detector, se obtiene un espectro de ensanchamiento de la energía de los fotones de aniquilación con una elevada relación señal/ruido, y se resuelve la distribución del momento electrónico cerca del nivel de energía de Fermi del material. Se pueden identificar defectos específicos de cada elemento (por ejemplo, complejos de impureza-vacancia), lo que permite detectar con gran sensibilidad el entorno químico y la estructura electrónica.
Materiales semiconductores: defectos de irradiación en obleas, análisis de complejos de vacantes de dopantes, caracterización de defectos interfaciales en dispositivos de potencia.
Metales y aleaciones: estudio del mecanismo de evolución de vacantes inducido por fatiga/irradiación/deformación, diagnóstico precoz de daños por fluencia en aleaciones de alta temperatura.
Materiales energéticos: defectos de incrustación/desincrustación de iones de litio en materiales de electrodos para baterías de iones de litio, control del comportamiento de burbujas de helio en materiales de reactores de fusión (por ejemplo, tungsteno).
Materiales nano y porosos: distribución del tamaño de las nanopartículas y análisis de los sitios activos superficiales.
Polímeros y biomateriales: seguimiento del proceso de envejecimiento microscópico de materiales biodegradables.
Resolución temporal: Resolución temporal de la medición del tiempo de vida ≤155ps (pico transitorio de Co-60, FWHM de la condición de ventana de Na-22).
Resolución energética del detector: Medida de vida (fuente Na-22): ≤12% (pico 1,275 MeV); Detector de germanio de alta pureza (fuente Co-60): ≤1,90keV (pico 1,332 MeV).
Rendimiento de adquisición de datos: tasa de muestreo de tiempo de medición de vida ≥ 5G / SPS; resolución de amplitud ≥ 14 bits; tasa de recuento de medición de vida ≥ 100cps; eficiencia del detector de germanio de alta pureza: ≥ 25%.
Proceso automatizado: con una sola pulsación se inicia un proceso de medición totalmente automatizado, el sistema ajusta de forma inteligente los mejores parámetros y realiza una calibración automática.
Estabilidad espectral: corrección en tiempo real de la deriva del espectro de energía de la medición de larga duración, verificada mediante fuente radiactiva de Co-60 (pico de 1,332MeV), velocidad de deriva ≤ 0,01%/h.
Sistema de visualización multimodo: admite el cambio de sistema de coordenadas lineal/logarítmico; puede visualizar de forma independiente espectros de energía de dos detectores y visualizar de forma sincronizada espectros de energía y espectros de vida útil en vista multiventana.
Función de análisis inteligente del espectro: registro completo de la información del espectro (hora de inicio, duración de la medición, tiempo muerto, recuentos totales); ajuste preciso de los límites de la ROI, búsqueda automática de picos y cálculo de la posición del pico, la altura media y la anchura total, y el área de la ROI; basado en el algoritmo de ajuste gaussiano para resolver los parámetros del pico.
Análisis de defectos y volumen libre de materiales: admite mediciones de la tasa de captura de estados defectuosos en materiales metálicos/semiconductores, y caracterización del radio de volumen libre y la fracción de volumen libre en polímeros.
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